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Transistor à effet de champ 075N15N IPP075N15N3G TO-220 100A150V

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1,06 €
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≥100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

IPP075N15N3G

Type

MOSFET

Marque nom

hkst

Description

100A150V

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-220

Expédition

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPP075N15N3G
Type
MOSFET
Marque nom
hkst
Description
100A150V
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-220
Température de fonctionnement
standard
Code date de fabrication
NEUF
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
standard
Résistance-socle (R1)
standard
Résistance-socle émetteur (R2)
standard
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (Max) @ Id
standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
standard
Fréquence
standard
Courant nominal (ampères)
standard
Facteur de bruit
standard
Alimentation-Sortie
standard
Tension Nominale
standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
standard
Vgs (Max)
standard
Type IGBT
standard
Configuration
standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
standard
Entrée
standard
Thermistance NTC
standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
Vidange de courant (Id)-Max
standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
standard
Résistance-RDS (On)
standard
Tension-Sortie
standard
Tension-décalage (Vt)
standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
standard
Courant-vallée (Iv)
standard
Courant-Crête
standard
Transistor Type
IGBT
Expédition par
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Modes de paiement
PAYPAL \ TT \ VISA \ Garantie commerciale
Service de liste BOM
Services de support BOM tout-en-un
Délai de livraison
1-3 jours ouvrables
Prix unitaire
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Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
14X12X4 cm
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