100 LQFP 71V632S6PFGI Mémoire Acheter des composants électroniques en ligne Original
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Attributs
SRAM - Synchrone, SDRTechnologie
volatileType de mémoire
64Kx32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation:3,135 V ~ 3,63 V
Fréquence de l'horloge:83 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, SDR
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64Kx32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation
3,135 V ~ 3,63 V
Fréquence de l'horloge
83 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
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71V632S6PFGI : 71V632S6PFGI: 71V632S6P
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