Composants électroniques de mémoire 100 LQFP AS8C801825-QC75N, fabricant de puces, canal
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5Chips Tech Limited
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Attributs
SRAM - Synchrone, SDRTechnologie
volatileType de mémoire
512Kx18Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
9 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation:3,135 V ~ 3,465 V
Fréquence de l'horloge:117 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:8,5 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, SDR
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512Kx18
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Fréquence de l'horloge
117 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
9 Mbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
8,5 secondes
Tension D'alimentation
3,135 V ~ 3,465 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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AS8C801825 contrôle qualité75N
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