Composants électroniques de mémoire 100 LQFP CY7C1463AV33-133AXI, fabricant de circuits électroniques, canal
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Attributs
SRAM - Synchrone, SDRTechnologie
volatileType de mémoire
2Mx18Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
36 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau, plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés
Tension D'alimentation:3,135 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle

5Chips Tech Limited
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Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, SDR
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
2Mx18
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
36 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau, plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Tension D'alimentation
3,135 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.100 kg
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CY7C1463AV33 133AXI
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Composants électroniques de mémoire 100 LQFP CY7C1463AV33-133AXI, fabricant de circuits électroniques, canal












