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YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED logo
YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED
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Transistor discret MOSFET IGBT de puissance 10N60 d’origine, boîtier TO220F, montage en surface, température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C

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1,09 €
2-199 pièce
0,7235 €
≥200 pièce
Spécification
Personnalisation
Emballage personnalisé (Quantité min. : 1 000 pièces)

Caractéristiques

Référence fabricant

30f12

Type

MOSFET

Marque nom

original

Type de paquet

TO220F

Description

transistor IGBT discret

Point d'origine

Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
30f12
Type
MOSFET
Marque nom
original
Type de paquet
TO220F
Description
transistor IGBT discret
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO220F
Température de fonctionnement
-55 °C à 150 °C
Série
triode
Code date de fabrication
neuf
Type de Fournisseur
Other
Collecteur de courant (Ic) (Max)
standard
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
standard
Type IGBT
standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Transistor Type
standard
Type de montage
standard
MOQ
1 pièce
Qualité
100 % de marque 100 %
Boîtier
TO220F
Plus de détails
triode
Température de fonctionnement
-55 à 150 ℃
Type
triode

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

Emballage personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 1 000 pièces)
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