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Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C

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1,05 €
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≥200 pièce
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Spécification

10N60
Personnalisation
Emballage personnalisé (Quantité min. : 1 000 pièces)

Caractéristiques

Référence fabricant

30f12

Type

MOSFET

Marque nom

original

Type de paquet

TO220F

Description

discrete igbt transistor

Point d'origine

Guangdong, China

Expédition

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
30f12
Type
MOSFET
Marque nom
original
Type de paquet
TO220F
Description
discrete igbt transistor
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO220F
Température de fonctionnement
-55 ° C to 150 ° C
Série
triode
Code date de fabrication
new
Type de Fournisseur
Other
Collecteur de courant (Ic) (Max)
standard
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
standard
Type IGBT
standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Transistor Type
standard
Type de montage
standard
MOQ
1 Pcs
Quality
100% Brand 100%
Package
TO220F
More details
triode
Operating Temperature
-55 to 150℃
Type
triode

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul volume
0 cm³
unique poids brut
0.0 kg

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Options de personnalisation

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