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Transistors 12-VFDFN à plaquette exposée WSGPA01-V1-R1, composants électroniques, circuits intégrés (CI) en stock

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Référence fabricant

WSGPA01-V1-R1

Marque nom

Original

Description

MOSFET RF GaN 48V 12DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

12-VFDFN avec pad exposé

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-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
WSGPA01-V1-R1
Marque nom
Original
Description
MOSFET RF GaN 48V 12DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
12-VFDFN avec pad exposé
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Fréquence-Transition
5GHz
Courant nominal (ampères)
-
Alimentation-Sortie
10W
Tension Nominale
125 V
Configuration
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
GaN
Configuration
-
Fréquence
5GHz
Gain
16,3 dB

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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