MOSFET de puissance SiC 1200V 33A, transistor MOSFET à canal N 75 milliohms, boîtier TO-247, pour onduleurs solaires
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Attributs
MOSFETType
Switch Mode Power SuppliesApplication
TraversantsType de paquet
À travers le trouType de montage
SIMPLEConfiguration
Fiche technique, PhotoMédias Disponibles
Référence fabricant:AKCT80N120HB
Marque nom:AIKO
Description:Résistance typique à l'état passant : RDS(on) = 75 mili-ohms (typ.), Tension de blocage élevée, Test d'avalanche à 100 %, Bonne stabilité et uniformité avec un EAS élevé
Point d'origine:Zhejiang, China
Package/Boîte:TO-247
Température de fonctionnement:-40℃~+175℃
Série:MOSFET SiC
Type de Fournisseur:Fabricant original, ODM
Collecteur de courant (Ic) (Max):33A(TC=25℃), 23,8 A (TC=100℃)
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):1225V
Courant-coupure de collecteur (Max):80A
Puissance Max:300W
Vidange à la tension de la Source (Vdss):1200V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:33A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:95 milliohms
Vgs (th) (Max) @ Id:4,2 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:75 nC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF
Courant nominal (ampères):33A
Tension Nominale:1200V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):2.0-4.2V
Tension-panne (V (BR) GSS):1200V
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):100 µA
Vidange de courant (Id)-Max:33A
Résistance-RDS (On):75 milliohms
Tension-décalage (Vt):-10/+25 V
Courant-vallée (Iv):23.8A
Courant-Crête:33A
Transistor Type:Transistor MOSFET SiC, Canal N
VDSS:1200V
VGSS:-10/+25V
Courant de drain (TC=25℃):33A
Courant de drain (TC=100℃):23.8A
Énergie d'avalanche à impulsion unique:800 mJ
Dissipation de puissance maximale (TC=25℃):300W
Temps de retard à l'arrêt:50ns
Charge totale de grille:75 nC
Courant de drain pulsé:80A
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
Switch Mode Power Supplies
Type de paquet
Traversants
Type de montage
À travers le trou
Configuration
SIMPLE
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM
Puissance Max
300W
Package/Boîte
TO-247
Description
Résistance typique à l'état passant : RDS(on) = 75 mili-ohms (typ.), Tension de blocage élevée, Test d'avalanche à 100 %, Bonne stabilité et uniformité avec un EAS élevé
Référence fabricant
AKCT80N120HB
Marque nom
AIKO
Point d'origine
Zhejiang, China
Température de fonctionnement
-40℃~+175℃
Série
MOSFET SiC
Collecteur de courant (Ic) (Max)
33A(TC=25℃), 23,8 A (TC=100℃)
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1225V
Courant-coupure de collecteur (Max)
80A
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
33A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
95 milliohms
Vgs (th) (Max) @ Id
4,2 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF
Courant nominal (ampères)
33A
Tension Nominale
1200V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
2.0-4.2V
Tension-panne (V (BR) GSS)
1200V
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
100 µA
Vidange de courant (Id)-Max
33A
Résistance-RDS (On)
75 milliohms
Tension-décalage (Vt)
-10/+25 V
Courant-vallée (Iv)
23.8A
Courant-Crête
33A
Transistor Type
Transistor MOSFET SiC, Canal N
Type de montage
Traversant (Through Hole)
VDSS
1200V
VGSS
-10/+25V
Courant de drain (TC=25℃)
33A
Courant de drain (TC=100℃)
23.8A
Énergie d'avalanche à impulsion unique
800 mJ
Dissipation de puissance maximale (TC=25℃)
300W
Temps de retard à l'arrêt
50ns
Charge totale de grille
75 nC
Courant de drain pulsé
80A
Application
Alimentations à découpage
Emballage et livraison
vente Unités
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seul paquet taille
1X3X5 cm
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AKCT80N120HB 1200V 33A SiC MOSFET
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