Transducteur 12W N Ch, Mode d'amélioration de l'effet de terrain, 2N7002

Name: Transducteur 12W N Ch, Mode d'amélioration de l'effet de terrain, 2N7002
Brand: Shenzhen Dyd Technology Co., Ltd.
SKU: 1600426975410
Price: 2 USD
Availability: InStock

Note de la boutique :4.9

(102 avis)

Shenzhen Dyd Technology Co., Ltd.

5 ans

Attributs

-Type

ElectronicApplication

-Type de paquet

Montage en SurfaceType de montage

Fiche technique, PhotoMédias Disponibles

Fabricant original, ODM, Agence, DétaillantType de Fournisseur

Puissance Max:-

Package/Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, SOT-23-3

Référence fabricant:2n7002

Marque nom:JXD

Point d'origine:Germany

Code date de fabrication:-

Collecteur de courant (Ic) (Max):-

Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):-

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:-

Courant-coupure de collecteur (Max):-

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:-

Fréquence-Transition:-

Résistance-socle (R1):-

Résistance-socle émetteur (R2):-

FET Type:N-Channel

Vidange à la tension de la Source (Vdss):60V, 60 V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:115mA (Ta)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs:7.5Ohm @ 500mA, 10V, 7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250uA, 2.5V @ 250uA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V, 50 pF @ 25 V

Fréquence:-

Courant nominal (ampères):-

Facteur de bruit:-

Alimentation-Sortie:-

Tension Nominale:-

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):5V, 10V

Vgs (Max):±20V, ±20V

Type IGBT:-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:-

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:-

Entrée:-

Thermistance NTC:-

Tension-panne (V (BR) GSS):-

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-

Vidange de courant (Id)-Max:-

Tension-coupure (VGS off) @ Id:-

Résistance-RDS (On):-

Tension-Sortie:-

Tension-décalage (Vt):-

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):-

Courant-vallée (Iv):-

Courant-Crête:-

Part Number:2N7002

Power Dissipation (Max):200mW (Ta)

FET à haute performance de mode d'amélioration de N-canal: Ce transistor à effet de champ de mode d'amélioration de 12W N Ch (2N7002) est conçu pour des applications électroniques, offrant la représentation fiable et l'opération efficace.
Large plage de température de fonctionnement: Le 2N7002 peut fonctionner dans une plage de température de-55 °C à 150 °C (TJ), ce qui le rend adapté à divers environnements.
Basse SUR-résistance: Avec un RDS maximum (dessus) de 7.5Ω @ 500mA, ce transistor assure la perte de puissance minimale et le transfert efficace d'énergie.
Tension élevée de Drain-à-source: Le 2N7002 peut manipuler une tension maximum de drain-à-source de 60V, le rendant approprié aux applications à haute tension.
Éventail d'options de paquet: Ce transistor est disponible dans divers types de paquet, y compris TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, et d'autres, le rendant compatible avec différentes conceptions et applications de circuit.

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Caractéristiques du produit

Type

Application

Electronic

Type de paquet

Type de montage

Montage en Surface

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo

Type de Fournisseur

Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant

Puissance Max

Package/Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, SOT-23-3

Référence fabricant

2n7002

Marque nom

JXD

Point d'origine

Germany

Code date de fabrication

Collecteur de courant (Ic) (Max)

Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Courant-coupure de collecteur (Max)

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Fréquence-Transition

Résistance-socle (R1)

Résistance-socle émetteur (R2)

FET Type

N-Channel

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

60V, 60 V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

115mA (Ta)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V, 7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250uA, 2.5V @ 250uA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V, 50 pF @ 25 V

Fréquence

Courant nominal (ampères)

Facteur de bruit

Alimentation-Sortie

Tension Nominale

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V, ±20V

Type IGBT

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Entrée

Thermistance NTC

Tension-panne (V (BR) GSS)

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Vidange de courant (Id)-Max

Tension-coupure (VGS off) @ Id

Résistance-RDS (On)

Tension-Sortie

Tension-décalage (Vt)

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Courant-vallée (Iv)

Courant-Crête

Part Number

2N7002

Power Dissipation (Max)

200mW (Ta)

Emballage et livraison

Packaging Details

ESD / Vacuum / Foam / Cartons

Port of dispatch

shenzhen

vente Unités

Article unique

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Durée estimée (jours)	5	À négocier