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Composants électroniques de mémoire TR 132 VBGA MT29F2T08EMHBFJ4-R:B en stock

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 térabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Accessoires de composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (TLC)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:256Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
2 térabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Accessoires de composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND (TLC)
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
256Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1000 - 3999 pièce
22,58 €
>= 4000 pièce
11,29 €

Expédition

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