Transistor MOSFET 15N10, circuit intégré de commutation de puissance, puce 15N10
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(157 avis)
Attributs
MOSFETType
Transistor MOSFETApplication
NormeType de paquet
NormeType de Support
/FET Caractéristique
/Configuration
Médias Disponibles:/
Type de Fournisseur:/
Puissance Max:/
Package/Boîte:À-252
Description:Circuit intégré de commutation de puissance à transistor MOSFET
Numéro de Type:15N10
Marque nom:Original
Point d'origine:Original
Température de fonctionnement:/
Série:15N10.0
d/c:22+
Référence croisée:/
Collecteur de courant (Ic) (Max):/
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):/
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:/
Courant-coupure de collecteur (Max):/
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:/
Fréquence-Transition:/
Résistance-socle (R1):/
Résistance-socle émetteur (R2):/
FET Type:/
Vidange à la tension de la Source (Vdss):/
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:/
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:/
Vgs (th) (Max) @ Id:/
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:/
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:/
Fréquence:/
Courant nominal (ampères):/
Facteur de bruit:/
Alimentation-Sortie:/
Tension Nominale:/
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):/
Vgs (Max):/
Type IGBT:/
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:/
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:/
Entrée:/
Thermistance NTC:/
Tension-panne (V (BR) GSS):/
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):/
Vidange de courant (Id)-Max:/
Tension-coupure (VGS off) @ Id:/
Résistance-RDS (On):/
Tension-Sortie:/
Tension-décalage (Vt):/
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):/
Courant-vallée (Iv):/
Courant-Crête:/
Transistor Type:Transistor MOSFET
Type de montage:/
HELLOCHIP LIMITED
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Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
Transistor MOSFET
Type de paquet
Norme
Type de Support
Norme
FET Caractéristique
/
Configuration
/
Médias Disponibles
/
Type de Fournisseur
/
Puissance Max
/
Package/Boîte
À-252
Description
Circuit intégré de commutation de puissance à transistor MOSFET
Numéro de Type
15N10
Marque nom
Original
Point d'origine
Original
Température de fonctionnement
/
Série
15N10.0
d/c
22+
Référence croisée
/
Collecteur de courant (Ic) (Max)
/
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
/
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
/
Courant-coupure de collecteur (Max)
/
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
/
Fréquence-Transition
/
Résistance-socle (R1)
/
Résistance-socle émetteur (R2)
/
FET Type
/
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
/
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
/
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
/
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
/
Fréquence
/
Courant nominal (ampères)
/
Facteur de bruit
/
Alimentation-Sortie
/
Tension Nominale
/
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
/
Vgs (Max)
/
Type IGBT
/
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
/
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
/
Entrée
/
Thermistance NTC
/
Tension-panne (V (BR) GSS)
/
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
/
Vidange de courant (Id)-Max
/
Tension-coupure (VGS off) @ Id
/
Résistance-RDS (On)
/
Tension-Sortie
/
Tension-décalage (Vt)
/
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
/
Courant-vallée (Iv)
/
Courant-Crête
/
Transistor Type
Transistor MOSFET
Type de montage
/
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