Attributs
AKCT45N170HNuméro de Type
MOSFETType
AIKOMarque nom
TraversantsType de paquet
Résistance typique : RDS (on) = 45 milliohms (typ.), Tension de blocage élevée, Test d'avalanche à 100 %, Bonne stabilité et uniformité avec un EAS élevéDescription
Zhejiang, ChinaPoint d'origine
Package/Boîte:À-247
Température de fonctionnement:-40℃~+150℃
Série:MOSFET SiC
Application:Switch Mode Power Supplies
Type de Fournisseur:Fabricant original, ODM
Médias Disponibles:Fiche technique, Photo
Collecteur de courant (Ic) (Max):72A (TC = 25℃), 48A (TC=100℃)
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):1725V
Courant-coupure de collecteur (Max):160A
Puissance Max:462 watts
Type de Support:À travers le trou
Vidange à la tension de la Source (Vdss):1700V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:72 ans
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:80 milliohms
Vgs (th) (Max) @ Id:4,0 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:193nC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3550pF
Courant nominal (ampères):72 ans
Tension Nominale:1700V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):2,0-4,2 V
Configuration:SIMPLE
Tension-panne (V (BR) GSS):1700V
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):100 µA
Vidange de courant (Id)-Max:72 ans
Résistance-RDS (On):45 milliohms
Tension-décalage (Vt):-10/+25V
Courant-vallée (Iv):48 ans
Courant-Crête:72 ans
Transistor Type:Transistor MOSFET SiC, Canal N
Type de montage:À travers le trou
Système de distribution de services:1700V
Système de gestion de la sécurité des transports:-10/+25V
Courant de drainage (TC=25℃):72 ans
Courant de drainage (TC=100℃):48 ans
Courant de décharge pulsé:160A
Dissipation de puissance maximale (TC=25℃):462 watts
Délai d'arrêt:36 secondes
Charge totale de portail:193nC
Application:Alimentations à découpage
Fiche technique:Message
