Composant électronique de mémoire 24 TBGA EM032LXQAB313IS2R en stock
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Attributs
MRAM (RAM magnétronrésistif)Technologie
Non volatileType de mémoire
4Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
32 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S
Caractéristiques du produit
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
4Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad E/S
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
4 000 - 6 999 pièce
11,27 €
>= 7 000 pièce
5,64 €
Options
SélectionnerSpécification
EM032LXQAB313IS2R : 1 pièce
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