Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR), Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:volatile
Technologie:PSRAM (Pseudo-SRAM)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:100 MHz
Organisation de la mémoire:8M à 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
