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Composants électroniques de mémoire 256 LBGA 70T3339S200BC, fabricant de puces, canal

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
9 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Double port, synchrone
Tension D'alimentation:2,4 V ~ 2,6 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Organisation de la mémoire:512Kx18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
9 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Double port, synchrone
Tension D'alimentation
2,4 V ~ 2,6 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Organisation de la mémoire
512Kx18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
24 - 3023 pièce
109,83 €
>= 3024 pièce
54,92 €

Expédition

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