Mémoire 256 LBGA 70V657S12BCI Acheter des composants électroniques en ligne En stock
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Attributs
SRAM - Double port, asynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
32 000 x 36Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1,125 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:3,15 V ~ 3,45 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:12 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Double port, asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
32 000 x 36
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1,125 Mbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
12 secondes
Tension D'alimentation
3,15 V ~ 3,45 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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70V657S12BCI
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