2N2222 TO92 NPN 30v 800MA Kit de transistors 50PCS 100PCS Composants électroniques Configuration unique IGBT MOSFET IC"
Attributs
2N2222Numéro de Type
JFETType
Original BrandMarque nom
Montage en SurfaceType de paquet
NormeDescription
Guangdong, ChinaPoint d'origine
Package/Boîte:Norme
Série:Norme
d/c:Le plus récent
Application:Norme
Type de Fournisseur:Fabricant original
Référence croisée:Norme
Médias Disponibles:Norme
Collecteur de courant (Ic) (Max):Norme
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):Norme
Courant-coupure de collecteur (Max):Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:Norme
Puissance Max:Norme
Fréquence-Transition:Norme
Résistance-socle (R1):Norme
Résistance-socle émetteur (R2):Norme
FET Caractéristique:Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Norme
Vgs (th) (Max) @ Id:Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Norme
Fréquence:Norme
Courant nominal (ampères):Norme
Facteur de bruit:Norme
Alimentation-Sortie:Norme
Tension Nominale:Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Norme
Vgs (Max):Norme
Type IGBT:Norme
Configuration:Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Norme
Entrée:Norme
Thermistance NTC:Norme
Tension-panne (V (BR) GSS):Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Norme
Vidange de courant (Id)-Max:Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Norme
Résistance-RDS (On):Norme
Tension-Sortie:Norme
Tension-décalage (Vt):Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Norme
Courant-vallée (Iv):Norme
Courant-Crête:Norme
Transistor Type:Transistors bipolaires-bjt
Type de montage:Norme
Tension:Norme
Température de fonctionnement:Norme
Applications:Norme
Type:Transistor
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:20X10X10 cm
unique poids brut:0.500 kg
