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Transistor amplificateur de puissance 2N3055 3055 To-3 2N3055

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Caractéristiques

Référence fabricant

2N3055

Type

Transistor IGBT

Marque nom

other

Type de paquet

TO-3

Description

Transistor d'onduleur d'amplificateur de haute puissance 2N3055

Point d'origine

Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
2N3055
Type
Transistor IGBT
Marque nom
other
Type de paquet
TO-3
Description
Transistor d'onduleur d'amplificateur de haute puissance 2N3055
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO-3
Code date de fabrication
XR001548
Alimentation-Sortie
standard
Type de montage
standard
Plage d'entrée
standard
Type de sortie
standard
Type de carte
standard
Sorties et type
standard
Caractéristiques
standard
Courant - Sortie
standard
Type de régulateur
standard
Type de capteur
standard

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
3X2X1 cm
unique poids brut
0.03 kg

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs