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Shenzhen Goldeleway Electronics Technology Co., Ltd. logo
Shenzhen Goldeleway Electronics Technology Co., Ltd.
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2N3904 à 92 puce de semi-conducteur d'origine de haute qualité transistor triode puce Igbt 2N3904

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2N3904

Type

Transistor

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Goldeleway

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Transistors MOSFET 75V 80A

Point d'origine

China

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Référence fabricant
2N3904
Type
Transistor
Marque nom
Goldeleway
Type de paquet
À travers le trou
Description
Transistors MOSFET 75V 80A
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-220-3
Température de fonctionnement
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Série
STripFE
Code date de fabrication
Le plus récent
Application
But général
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Référence croisée
Transistor
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
230V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
3V @ @ 800mA 8A
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
55 @ @ 1A 5V
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
N-Canal
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
75V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
80A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ @ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ @ 250ua
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ @ 25V
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
± 20V
Type IGBT
-
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Type de montage
À travers le trou
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Qualité
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Statut sans plomb
Sans plomb/RoHS conforme
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DHL,UPS,Fedex et SME
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30 ~ 45 jours
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