Transistor MOSFET 2N7002 d'origine, nouveau, boîtier SOT-23-3, 60V 170mA 370mW
Note de la boutique :5.0
(3 avis)
Attributs
MOSFET, TransistorsType
Transistors Single FET MOSFETApplication
Montage en SurfaceType de paquet
Montage en SurfaceType de Support
-FET Caractéristique
-Configuration
Puissance Max:370mW (Ta)
Package/Boîte:SOT-23-3
Description:BOM List Service Instant Spot Supply
Numéro de Type:2N7002
Marque nom:Original Brand
Point d'origine:Original
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Série:2N7002
d/c:newest
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:-
Résistance-socle (R1):-
Résistance-socle émetteur (R2):-
FET Type:N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss):60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:170mA (Ta)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.23 nC 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Fréquence:-
Courant nominal (ampères):-
Facteur de bruit:-
Alimentation-Sortie:-
Tension Nominale:-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):5V, 10V
Vgs (Max):±20V
Type IGBT:-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:50 pF 25 V
Entrée:-
Thermistance NTC:-
Tension-panne (V (BR) GSS):-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-
Vidange de courant (Id)-Max:-
Tension-coupure (VGS off) @ Id:-
Résistance-RDS (On):-
Tension-Sortie:-
Tension-décalage (Vt):-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):-
Courant-vallée (Iv):-
Courant-Crête:-
Transistor Type:-
Type de montage:-
Lead time:24 hours
Service:PCBA/PCB/SMT/Bom List
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET, Transistors
Application
Transistors Single FET MOSFET
Type de paquet
Montage en Surface
Type de Support
Montage en Surface
FET Caractéristique
-
Configuration
-
Puissance Max
370mW (Ta)
Package/Boîte
SOT-23-3
Description
BOM List Service Instant Spot Supply
Numéro de Type
2N7002
Marque nom
Original Brand
Point d'origine
Original
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
2N7002
d/c
newest
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
170mA (Ta)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.23 nC 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type IGBT
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
50 pF 25 V
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Transistor Type
-
Type de montage
-
Lead time
24 hours
Service
PCBA/PCB/SMT/Bom List
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
Quantité minimale : 100 pièce
0,0875-0,8746 €Options
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2N7002
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