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2N7002K Circuit intégré d'origine IC 60V Mode d'amélioration du canal N MOSFET SOT-23 MOSFET encapsulé en plastique

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Caractéristiques

Marque nom

CJ

Référence fabricant

2N7002K

Point d'origine

Guangdong, China

Description

N-canal 60 V 500mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Type demballage

Bande coupée Ruban adhésif et bobine (TR)

Numéro de produit fabricant

2N7002K

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
2N7002K
Description
N-canal 60 V 500mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Marque nom
CJ
Point d'origine
Guangdong, China
Type demballage
Bande coupée Ruban adhésif et bobine (TR)
Numéro de produit fabricant
2N7002K
Fabricant
CJ
Description
MOSFET SOT-23 N Canal 60V
Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET
Statut de la partie
Actif
Type de FET
N-Canal
Tension de drain à la source (Vdss)
60 V
Courant-Continu Drain (Id) @ 25 °C
340mA
Tension de commande (Rds maximum sur, Rds minimum sur)
4.5V, 10V
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 300mA, 10V
Vgs (Max)
± 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
23,8 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Paquet/cas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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