Transistor 2SC5200 2SA1943 TTA1943 TTC5200 TO 3PL Thosiba 150W Amplificateur audio Transistor de puissance 230V IC pour les fournisseurs ODM
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Attributs
Transistor RFType
-Application
TraversantsType de paquet
-Type de montage
-FET Caractéristique
-Configuration
Référence fabricant:2SC5200
Marque nom:TOSHIBA
Description:APPLICATIONS D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE
Point d'origine:GUA
Package/Boîte:TO-3PL
Température de fonctionnement:-
Série:-55~150
Code date de fabrication:-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:-
Puissance Max:-
Fréquence-Transition:-
Résistance-socle (R1):-
Résistance-socle émetteur (R2):-
Vidange à la tension de la Source (Vdss):-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Fréquence:-
Courant nominal (ampères):-
Facteur de bruit:-
Alimentation-Sortie:-
Tension Nominale:-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):-
Vgs (Max):-
Type IGBT:-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:-
Entrée:-
Thermistance NTC:-
Tension-panne (V (BR) GSS):-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-
Vidange de courant (Id)-Max:-
Tension-coupure (VGS off) @ Id:-
Résistance-RDS (On):-
Tension-Sortie:-
Tension-décalage (Vt):-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):-
Courant-vallée (Iv):-
Courant-Crête:-
Transistor Type:-
Délai de livraison:Sous 3 jours
Paiement:Paypal\TT\Western Union\Assurance commerciale
Expédition:DHL\FEDEX\UPS\TNT\EPACK\CHINA POST
Caractéristiques du produit
Type
Transistor RF
Application
-
Type de paquet
Traversants
Type de montage
-
FET Caractéristique
-
Configuration
-
Puissance Max
-
Package/Boîte
TO-3PL
Description
APPLICATIONS D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE
Référence fabricant
2SC5200
Marque nom
TOSHIBA
Point d'origine
GUA
Température de fonctionnement
-
Série
-55~150
Code date de fabrication
-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Fréquence-Transition
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Transistor Type
-
Type de montage
-
Délai de livraison
Sous 3 jours
Paiement
Paypal\TT\Western Union\Assurance commerciale
Expédition
DHL\FEDEX\UPS\TNT\EPACK\CHINA POST
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
Quantité minimale : 1 pièce
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