Transistor de puissance miniature 2SC828 TO92 0,1A 30V C828
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Attributs
transistorType
Général D'amplificationApplication
TraversantsType de paquet
À travers le trou, à travers le trouType de montage
StandardFET Caractéristique
Non applicableConfiguration
Référence fabricant:C828 transistor
Marque nom:JMY/Original Brand
Description:Transistor de puissance C828, transistor C828
Point d'origine:Guangdong, China
Package/Boîte:À-92
Température de fonctionnement:-50
Série:Norme
Code date de fabrication:Le plus récent
Type de Fournisseur:Fabricant original
Référence croisée:/
Médias Disponibles:Fiche technique, Photo
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:Norme
Résistance-socle (R1):Norme
Résistance-socle émetteur (R2):Norme
FET Type:STANDARD
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:Norme
Vgs (th) (Max) @ Id:Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Norme
Fréquence:Norme
Courant nominal (ampères):Norme
Facteur de bruit:Norme
Alimentation-Sortie:Norme
Tension Nominale:Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Norme
Vgs (Max):Norme
Type IGBT:Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Norme
Entrée:Norme
Thermistance NTC:Norme
Tension-panne (V (BR) GSS):Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Norme
Vidange de courant (Id)-Max:Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Norme
Résistance-RDS (On):Norme
Tension-Sortie:Norme
Tension-décalage (Vt):Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Norme
Courant-vallée (Iv):Norme
Courant-Crête:Norme
Transistor Type:NPN
Prix:Contactez-nous pour obtenir le prix le plus bas.
Numéro de produit:2SC828
Catégorie:Transistor
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
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Marchés principaux: Philippines, 英国, Inde, États-Unis d'Amérique, Pologne
Caractéristiques du produit
Type
transistor
Application
Général D'amplification
Type de paquet
Traversants
Type de montage
À travers le trou, à travers le trou
FET Caractéristique
Standard
Configuration
Non applicable
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
Type de Fournisseur
Fabricant original
Package/Boîte
À-92
Description
Transistor de puissance C828, transistor C828
Alimentation-Sortie
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Code date de fabrication
Le plus récent
Courant nominal (ampères)
Norme
Courant-Crête
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Entrée
Norme
FET Type
STANDARD
Facteur de bruit
Norme
Fréquence
Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Norme
Marque nom
JMY/Original Brand
Point d'origine
Guangdong, China
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Référence croisée
/
Référence fabricant
C828 transistor
Résistance-RDS (On)
Norme
Résistance-socle (R1)
Norme
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Série
Norme
Température de fonctionnement
-50
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Norme
Tension-Sortie
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Tension-décalage (Vt)
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Thermistance NTC
Norme
Transistor Type
NPN
Type IGBT
Norme
Type de montage
Montage en Surface
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Vgs (Max)
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
Prix
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Numéro de produit
2SC828
Catégorie
Transistor
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