Composants électroniques d'origine 2sc5200 2sa1943 Circuits intégrés
Note de la boutique :4.0
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Attributs
Transistor IGBT, transistorType
But généralApplication
TraversantsType de paquet
Traversant, NulType de montage
Diode Schottky (isolée)FET Caractéristique
Inverseur TriphaséConfiguration
Référence fabricant:2SC5200
Marque nom:.
Description:Aucun, Yarun
Point d'origine:Guangdong, China
Package/Boîte:Aucun
Température de fonctionnement:Aucun, Aucun
Série:Aucun
Code date de fabrication:Aucun
Type de Fournisseur:Détaillant, ODM, Fabricant original, Agence
Référence croisée:standard
Médias Disponibles:Photo, Modèles EDA/cao, Fiche technique, Autre
Collecteur de courant (Ic) (Max):Aucun
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):Aucun
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:Aucun
Courant-coupure de collecteur (Max):Aucun
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:Aucun
Puissance Max:Aucun
Fréquence-Transition:Aucun
Résistance-socle (R1):Aucun
Résistance-socle émetteur (R2):Aucun
FET Type:Aucun
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Aucun
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Aucun
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:Aucun
Vgs (th) (Max) @ Id:Aucun
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Aucun
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Aucun
Fréquence:Aucun
Courant nominal (ampères):Aucun
Facteur de bruit:Aucun
Alimentation-Sortie:Aucun
Tension Nominale:Aucun
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Aucun
Vgs (Max):Aucun
Type IGBT:Aucun
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Aucun
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Aucun
Entrée:Aucun
Thermistance NTC:Aucun
Tension-panne (V (BR) GSS):Aucun
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Aucun
Vidange de courant (Id)-Max:Aucun
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Aucun
Résistance-RDS (On):Aucun
Tension-Sortie:Aucun
Tension-décalage (Vt):Aucun
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Aucun
Courant-vallée (Iv):Aucun
Courant-Crête:Aucun
Transistor Type:transistor
Tension:Aucun
Applications:Aucun
Caractéristiques du produit
Type
Transistor IGBT, transistor
Application
But général
Type de paquet
Traversants
Type de montage
Traversant, Nul
FET Caractéristique
Diode Schottky (isolée)
Configuration
Inverseur Triphasé
Médias Disponibles
Photo, Modèles EDA/cao, Fiche technique, Autre
Type de Fournisseur
Détaillant, ODM, Fabricant original, Agence
Puissance Max
Aucun
Package/Boîte
Aucun
Description
Aucun, Yarun
Référence fabricant
2SC5200
Marque nom
.
Point d'origine
Guangdong, China
Température de fonctionnement
Aucun, Aucun
Série
Aucun
Code date de fabrication
Aucun
Référence croisée
standard
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Aucun
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Aucun
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Aucun
Courant-coupure de collecteur (Max)
Aucun
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Aucun
Fréquence-Transition
Aucun
Résistance-socle (R1)
Aucun
Résistance-socle émetteur (R2)
Aucun
FET Type
Aucun
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Aucun
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Aucun
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Aucun
Vgs (th) (Max) @ Id
Aucun
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Aucun
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Aucun
Fréquence
Aucun
Courant nominal (ampères)
Aucun
Facteur de bruit
Aucun
Alimentation-Sortie
Aucun
Tension Nominale
Aucun
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Aucun
Vgs (Max)
Aucun
Type IGBT
Aucun
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Aucun
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Aucun
Entrée
Aucun
Thermistance NTC
Aucun
Tension-panne (V (BR) GSS)
Aucun
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Aucun
Vidange de courant (Id)-Max
Aucun
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Aucun
Résistance-RDS (On)
Aucun
Tension-Sortie
Aucun
Tension-décalage (Vt)
Aucun
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Aucun
Courant-vallée (Iv)
Aucun
Courant-Crête
Aucun
Transistor Type
transistor
Tension
Aucun
Applications
Aucun
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
0.550 kg
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