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Transistors 3-SPA 5LN01SP - Composant électronique - Fabricant - Canal

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Référence fabricant

5LN01SP

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA

Point d'origine

China

Package/Boîte

3-SPA

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
5LN01SP
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA
Point d'origine
China
Package/Boîte
3-SPA
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
50 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
100mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
7,8 ohms à 50 mA, 4 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,3 V @ 100 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1,57 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6,6 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,5 V, 4 V
Vgs (Max)
±10V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Sac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs