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Composant électronique de mémoire 32 BSOJ CY7C1009B-20VC en stock

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Attributs

SRAM - AsynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
128Kx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tube, tube
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:20 secondes
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Technologie
SRAM - Asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128Kx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Mbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tube, tube
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
20 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Easy return
117 - 2 299 pièce
1,12 €
>= 2 300 pièce
1,11 €

Spécification

CY7C1009B20VC

Expédition

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