Module DIP 32 DS1245W-100IND Mémoire Acheter des composants électroniques en ligne Original
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Attributs
Composant et pièceType
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Kit de composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 nanos
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Mbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
128Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
100 nanos
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,5527 €
>= 3 100 pièce
0,2764 €
Options
SélectionnerSpécification
DS1245W 100 pièces
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