36 BSOJ R1RW0408DGE-2PR # Composants de puces électroniques de mémoire B1 en stock
36 BSOJ R1RW0408DGE-2PR # Composants de puces électroniques de mémoire B1 en stockAucun avis pour l'instant
Attributs
SRAMTechnologie
volatileType de mémoire
512Kx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant de puces électroniques
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:12 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512Kx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant de puces électroniques
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
12 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 3 000 pièce
2,71 €
>= 3 001 pièce
1,36 €
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R1RW0408DGE 2PR # B1
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