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Composants de transistors 4-PDFN FL06150G, électroniques, originaux, service complet

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Référence fabricant

FL06150G

Marque nom

Original

Description

SICFET N-CH 650V 15A PDFN8x8

Point d'origine

China

Package/Boîte

4-PDFN (8x8)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FL06150G
Marque nom
Original
Description
SICFET N-CH 650V 15A PDFN8x8
Point d'origine
China
Package/Boîte
4-PDFN (8x8)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
Éclair
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
15A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
150 mOhms à 5 A, 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29,5 nC à 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
672 pF @ 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V
Vgs (Max)
15V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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