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Composants électroniques Transistors 4-SMD EPC7014UBSH en stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

EPC7014UBSH

Marque nom

Original

Description

GAN FET HEMT 60V 1A 4UB

Point d'origine

China

Package/Boîte

4-SMD

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
EPC7014UBSH
Marque nom
Original
Description
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Point d'origine
China
Package/Boîte
4-SMD
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
e-GaN
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
1A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
580 mOhms à 1 A, 5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 140 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
22 pF @ 30 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
5V
Vgs (Max)
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
GaNFET (nitrure de gallium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Avertissement/Disclaimer
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