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Transistor MOSFET à usage général 40N60FD2 SGT40N60FD2PN, montage en surface TO-247, 40A, 600V

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Caractéristiques

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SGT40N60FD2PN

Type

MOSFET

Marque nom

JMY

Type de paquet

Montage en Surface

Description

standard

Point d'origine

Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SGT40N60FD2PN
Type
MOSFET
Marque nom
JMY
Type de paquet
Montage en Surface
Description
standard
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO-247
Température de fonctionnement
STANDARD
Série
STANDARD
Code date de fabrication
standard
Application
But général
Type de Fournisseur
Agence
Référence croisée
NJW0302 NJW0281
Médias Disponibles
Fiche technique
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
standard
Résistance-socle (R1)
standard
Résistance-socle émetteur (R2)
standard
FET Type
STANDARD
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (Max) @ Id
standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
standard
Fréquence
standard
Courant nominal (ampères)
standard
Facteur de bruit
standard
Alimentation-Sortie
standard
Tension Nominale
standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
standard
Vgs (Max)
standard
Type IGBT
standard
Configuration
standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
standard
Entrée
standard
Thermistance NTC
standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
Vidange de courant (Id)-Max
standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
standard
Résistance-RDS (On)
standard
Tension-Sortie
standard
Tension-décalage (Vt)
standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
standard
Courant-vallée (Iv)
standard
Courant-Crête
standard
Type de montage
Montage en Surface
Expédition par
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Modes de paiement
PAYPAL \ TT \ VISA \ Garantie commerciale
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