44 BSOJ R1RW0416DGE-2LR # Composants mémoire B1, fabricant électronique, canal
Note de la boutique :4.5
(2 avis)
Attributs
SRAM - AsynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
256Kx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants de circuits électroniques
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:12 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256Kx16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de circuits électroniques
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
4 Mbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
12 secondes
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Type de conditionnement
Tuyau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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2,74 €
>= 3 001 pièce
1,37 €
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R1RW0416DGE2LR # B1
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