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44 BSOJ R1RW0416DGE-2LR # Composants mémoire B1, fabricant électronique, canal

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Attributs

Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Composants de circuits électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:256Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:12 secondes
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de circuits électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
256Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
12 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1 - 3 000 pièce
2,70 €
>= 3 001 pièce
1,35 €

Spécification

R1RW0416DGE2LR # B1

Expédition

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