Composant électronique de mémoire 44 TSOP CY62157EV30LL-45ZSXI en stock
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Attributs
Composant et pièceType
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation:2,2 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:512Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:45 secondes
Interface mémoire:Parallèle
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CY62157EV30LL45ZSXI
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