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Composant électronique de mémoire 48 TFSOP S29AL008J55TFAR23, original, service complet

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Attributs

Composant et pièceType
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composant électroniqueCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:1 million x 8, 512 000 x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:55 secondes
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
1 million x 8, 512 000 x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
55 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
100 - 3 099 pièce
0,514 €
>= 3 100 pièce
0,257 €

Spécification

S29AL008J55TFA R23

Expédition

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