





Attributs
Component & PartType
NewCode Date de fabrication
4GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TrayType de conditionnement
MemoryApplication
Caractéristiques:Integrated Circuit Ic
Type de mémoire:Non-Volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:2.7V ~ 3.6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:512M x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:20ns
Memory Interface:Parallel














