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Transistors 5-DFN NTMFS6D7N08XT1G Composant électronique d'origine

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100-3 099 pièce
0,3721 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

NTMFS6D7N08XT1G

Marque nom

Original

Description

MOSFET POWERTRENCHT10, simple, N

Point d'origine

China

Package/Boîte

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NTMFS6D7N08XT1G
Marque nom
Original
Description
MOSFET POWERTRENCHT10, simple, N
Point d'origine
China
Package/Boîte
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
80 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
68,3 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6,7 mOhms à 15 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,6 V à 75 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18,2 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1293 pF @ 40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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