Module de photodiode InGaAs APD 50um 1100-1650nm, haute sensibilité, faible courant noir pour récepteur optique analogique
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Shenzhen Box Optronics Technology Co., Limited
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Attributs
AutreType
autrePuissance maximale
Qualité commerciale / PersonnalisableVitesse
AutreType de paquet
autreType de montage
Photodiode InGaAsDiode Type
Référence fabricant:BAPD-50P10B-FA
Marque nom:BOX
Description:1100-1650nm 70um InGaAs Photodiode Module
Point d'origine:Guangdong, China
Boîtier / Paquet:autre
Application:Récepteur optique analogique ; Équipement de test
Type de Fournisseur:Neuf d'origine en stock
Médias Disponibles:Fiche technique du produit
Tension vers l'avant maximale:N/A (La photodiode fonctionne en polarisation inverse)
Tension inverse maximale:30 V
Courant vers l'avant maximal:10 mA
Courant renversé maximal:5 mA
Technologie:Structure d'incidence planaire, Boîtier coaxial
Tension inverse de pointe (max.):30 V
Courant-moyenne rectifiée (Io):N/A
Diode Configuration:Diode unique
Tension-inversion cc (Vr) (Max):30 V
Courant-moyenne rectifiée (Io) (par Diode):N/A
Temps de récupération inverse (trr):< 0,3 ns (temps montée/descente)
Capacité @ Vr, F:0,6 pF (Typ.), 0,75 pF (max.)à Vr=5V, f=1MHz
Courant - Max:10 mA (Direct) / 5 mA (Inverse)
Résistance @ If, F:N/A
Dissipation de puissance (maximum):Calculé sur la base d'une puissance optique de 5 mW et d'un fonctionnement
Capacité Rapport:Non applicable
Capacité Rapport État:N/A
Configuration:N/A
Impédance (Max) (Zzt):autre
Description:Module photodiode InGaAs 1100-1650 nm 70 µm
Type/Catégorie:Module photodiode InGaAs / détecteur optique
Plage de longueurs d'onde:1100 nm à 1650 nm
Réactivité (Typ.):0,95 A/W à 1550 nm, 0,90 A/W à 1310 nm (Vr=5 V)
Courant d'obscurité (Max.):0,5 nA à Vr=5V
Puissance optique de saturation:5 mW (Max.)
Tension de fonctionnement:-5 V
Tension inverse (max.):30 V
Type d'emballage:Emballage en queue de cochon / Emballage réceptacle (coaxial)
Caractéristiques du produit
Type
Autre
Puissance maximale
autre
Vitesse
Qualité commerciale / Personnalisable
Type de paquet
Autre
Type de montage
autre
Diode Type
Photodiode InGaAs
Configuration
N/A
Technologie
Structure d'incidence planaire, Boîtier coaxial
Application
Récepteur optique analogique ; Équipement de test
Médias Disponibles
Fiche technique du produit
Type de Fournisseur
Neuf d'origine en stock
Description
1100-1650nm 70um InGaAs Photodiode Module
Référence fabricant
BAPD-50P10B-FA
Marque nom
BOX
Point d'origine
Guangdong, China
Boîtier / Paquet
autre
Tension vers l'avant maximale
N/A (La photodiode fonctionne en polarisation inverse)
Tension inverse maximale
30 V
Courant vers l'avant maximal
10 mA
Courant renversé maximal
5 mA
Tension inverse de pointe (max.)
30 V
Courant-moyenne rectifiée (Io)
N/A
Diode Configuration
Diode unique
Tension-inversion cc (Vr) (Max)
30 V
Courant-moyenne rectifiée (Io) (par Diode)
N/A
Temps de récupération inverse (trr)
< 0,3 ns (temps montée/descente)
Capacité @ Vr, F
0,6 pF (Typ.), 0,75 pF (max.)à Vr=5V, f=1MHz
Courant - Max
10 mA (Direct) / 5 mA (Inverse)
Résistance @ If, F
N/A
Dissipation de puissance (maximum)
Calculé sur la base d'une puissance optique de 5 mW et d'un fonctionnement
Capacité Rapport
Non applicable
Capacité Rapport État
N/A
Impédance (Max) (Zzt)
autre
Description
Module photodiode InGaAs 1100-1650 nm 70 µm
Type/Catégorie
Module photodiode InGaAs / détecteur optique
Plage de longueurs d'onde
1100 nm à 1650 nm
Réactivité (Typ.)
0,95 A/W à 1550 nm, 0,90 A/W à 1310 nm (Vr=5 V)
Courant d'obscurité (Max.)
0,5 nA à Vr=5V
Puissance optique de saturation
5 mW (Max.)
Tension de fonctionnement
-5 V
Tension inverse (max.)
30 V
Type d'emballage
Emballage en queue de cochon / Emballage réceptacle (coaxial)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
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Emballage personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 1 000 unités)
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