Composant électronique de mémoire 63 VFBGA MT29F1G08ABADAH4-E:D, circuit intégré (CI) en stock
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5Chips Tech Limited
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Attributs
FLASH - NANDTechnologie
Non volatileType de mémoire
128 millions x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
128 millions x 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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