Composant électronique de mémoire 70V3599S133BCI 256 LBGA en stock
Note de la boutique :4.6
(3 avis)
Attributs
SRAM - Double port, synchroneTechnologie
volatileType de mémoire
128Kx36Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4,5 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:3,15 V ~ 3,45 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Double port, synchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128Kx36
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4,5 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
3,15 V ~ 3,45 V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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1 - 3 000 pièce
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70V3599S133BCT
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