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Transistors 8-PowerTDFN NVMFD5C466NLT1G Composant électronique en stock

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Référence fabricant

NVMFD5C466NLT1G

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerTDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NVMFD5C466NLT1G
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerTDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
3W (Ta), 40W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
14A (Ta), 52A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
7,4 mOhms à 10 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,2 V à 30 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
997pF à 25V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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