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Référence fabricant

IRF7342D2TRPBF

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Original

Description

MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SO

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-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRF7342D2TRPBF
Marque nom
Original
Description
MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SO
Température de fonctionnement
-
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
Diode Schottky (isolée)
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3,4 A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
105 mOhms à 3,4 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
690 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Ruban coupé (CT)
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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