





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Synchrone, SDR
Tension D'alimentation:2,2 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:20 MHz
Organisation de la mémoire:256Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, SDI, DTR














