Composant électronique de mémoire 8 SOlC W25X20VSNIG T&R, distributeur agréé
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Attributs
Composant et pièceType
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégré de composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:Éclair
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:75 MHz
Organisation de la mémoire:256Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:3 mètres
Interface mémoire:PI
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
Éclair
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
75 MHz
Organisation de la mémoire
256Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
3 mètres
Interface mémoire
PI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 500 - 5 499 pièce
0,3725 €
>= 5 500 pièce
0,1884 €
Options
SélectionnerSpécification
W25X20VSNIG T&V
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