





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:2 MHz
Organisation de la mémoire:256 x 8, 128 x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:5 mètres
Interface mémoire:Série à 3 fils














