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Composants électroniques de mémoire 8 TSSOP BY25D80ASOIG(R) Fabricant de puces électroniques Canal

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Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
8 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
108 MHz
Organisation de la mémoire
1M8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
2,4 ms
Interface mémoire
SPI - Double E/S

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
5000 - 7999 pièce
0,0686 €
>= 8000 pièce
0,0343 €

Expédition

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