





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:120 MHz
Organisation de la mémoire:32Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:30 µs, 750 µs
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, DTR













