Composants électroniques de circuit mémoire 8 WDFN Exposed Pad W25N01KVZPIR BOM IC en stock
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Attributs
FLASH - NAND (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
128 millions x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:700 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
128 millions x 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
104 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
700 micros
Interface mémoire
SPI - Quad E/S
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,9724 €
>= 3 100 pièce
0,4884 €
Options
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W25N01KVZPIR
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