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Transistors 8-WDFN NVTFS6H860NWFTAG Composant électronique Distributeur agréé

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Référence fabricant

NVTFS6H860NWFTAG

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-WDFN (3.3x3.3)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NVTFS6H860NWFTAG
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-WDFN (3.3x3.3)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
80 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
8A (Ta), 30A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
21,1 mOhms à 5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 30µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8,7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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