Composants électroniques de mémoire 84 TFBGA IS43DR16640C-3DBI, fabricant de puces, canal
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Attributs
SDRAM-DDDR2Technologie
volatileType de mémoire
64M à 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Accessoires de composants électroniques
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:333 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle

5Chips Tech Limited
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Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR2
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64M à 16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Accessoires de composants électroniques
Fréquence de l'horloge
333 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1 Gbit
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
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