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Composant électronique de mémoire 96 TFBGA AS4C256M16D4A-62BINTR, fabricant de composants électroniques, canal

Note de la boutique :5.0
(1 avis)

Attributs

SDRAM-DDDR4Technologie
volatileType de mémoire
256 millions x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:POD

Caractéristiques du produit

Technologie
SDRAM-DDDR4
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
4Gbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,26 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
POD

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Easy return
1 500 - 4 499 pièce
2,71 €
>= 4 500 pièce
1,36 €

Spécification

AS4C256M16D4A 62BINT

Expédition

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