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Composants électroniques originaux A5G35H120NT2 10-PowerLDFN Transistors

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Référence fabricant

A5G35H120NT2

Marque nom

Original

Description

MOSFET RF GaN 48V 10DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

10-PowerLDFN

Série

-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
A5G35H120NT2
Marque nom
Original
Description
MOSFET RF GaN 48V 10DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
10-PowerLDFN
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Fréquence-Transition
3,3 GHz ~ 3,7 GHz
Courant nominal (ampères)
-
Alimentation-Sortie
18W
Tension Nominale
125 V
Configuration
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
GaN
Configuration
-
Fréquence
3,3 GHz ~ 3,7 GHz
Gain
14,1 dB

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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